据悉，上海司上海华虹宏力半导体制作有限公司近期乐成取患了“一种嵌入式存储器参数测试分类筛选措施”的华虹宏力患上专利权，该专利果真号为CN112820340B，半导失效日期为2024年4月16日，体制恳求光阴为2021年2月5日。作有专利

这项专利技术主要搜罗四个步骤：首先，上海司判断存储器电参数的华虹宏力患上调解规模；其次，妨碍晶圆测试取患上实际丈量的半导电参数；接着，将这些数据记着实日志文件中；最后，体制对于日志文件中的作有专利数据妨碍合成，天生测试晶圆图谱。上海司此措施经由记实每一颗晶圆的华虹宏力患上电参数调解值，可能实用地清扫颇为芯片，半导提供坚贞的体制危害预警机制，从而提升芯片的作有专利坚贞性水平。